Gamintojo produkto numeris:
IPD10N03LA G
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPD10N03LA G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventorius:
12801105
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPD10N03LA G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 20µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1358 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
52W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO252-3-11
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IPD10N
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP000017602
IPD10N03LAGXT
IPD10N03LA G-DG
IPD10N03LAG
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDD8880
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
13967
DiGi DALIES NUMERIS
FDD8880-DG
VISO KAINA
0.27
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3